电子:美国拟撤销海外在华晶圆厂设备采购授权,半导体国产替代持续受益250903
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摘要原文摘录美国拟计划通过法案,撤销台积电、英特尔、三星和 SK 海力士在中国大陆采购芯片制造设备使用许可,加大这些企业在华芯片制造难度。因此,我们预期国产存储芯片供应商及晶圆代工厂等市场份额有进一步提升。此外,由于采购设备难度进一步加大,海外晶圆厂可能会开始寻找国产供应商,对国产半导体设备及材料等产业链相关公司持续利好。美国拟计划撤销台积电、英特尔、三星和 SK 海…
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研报摘要
美国拟计划通过法案,撤销台积电、英特尔、三星和 SK 海力士在中国大陆采购芯片制造设备使用许可,加大这些企业在华芯片制造难度。因此,我们预期国产存储芯片供应商及晶圆代工厂等市场份额有进一步提升。此外,由于采购设备难度进一步加大,海外晶圆厂可能会开始寻找国产供应商,对国产半导体设备及材料等产业链相关公司持续利好。美国拟计划撤销台积电、英特尔、三星和 SK 海力士在华芯片制造设备使用许可,加大这些企业在华芯片制造难度。当地时间 9 月 2 日,据彭博社报道,美国商务部工业与安全局(BIS)已撤销台积电南京厂的“经验证最终用户”(VEU)授权;此前,在当地时间 8 月29 日,BIS 发布最终规则,宣布撤销三家在华半导体企业的 VEU 授权,相关变更将在公告发布 120 天后生效。这三家公司分别是英特尔半导体(大连)、三星中国半导体,以及 SK 海力士半导体(中国)。此前,这些公司无需逐案申请,即可将美国制造的芯片设备运往中国大陆工厂。根据规则,一旦 VEU 撤销生效,向台积电、三星及 SK 海力士在华工厂供货的厂商都必须主动向美方申请出口许可证,原先的一揽子许可被改为个案审批,涉及范围涵盖先进制造设备、备件乃至生产过程中消耗的化学品,带来审批周期与排队不确定性。如果此次豁免撤销落地,中国大陆产能占比较高的 SK 海力士可能受到最大冲击,其次是三星,台积电受影响相对较小。SK 海力士在中国大陆拥有两个主要工厂:无锡工厂(专注于 DRAM 内存生产)和大连工厂(原英特尔 NAND 闪存工厂,2021 年底被海力士收购,主要生产 NAND Flash)。三星在西安、苏州设有 NAND 存储芯片工厂。而台积电在南京的工厂目前仅具备 2 万片/月的 12 英寸产能,占其全球产能 130 万片/月约 1.5%。据 TrendForce 数据显示,截至 2025Q1,三星与 SK 海力士占据了全球近 70%的 DRAM 市场和近 50%的 NAND 市场。三星在中国大陆的 NAND工厂占其总产能的42.3%,全球占比达15.3%;SK海力士在中国大陆拥有约50%的 DRAM 产能和 20%的 NAND 产能。早在 2022 年,美国便出台了对中国的半导体出口管制政策,其中台积电、三星、SK 海力士的中国工厂最初获得了一年的豁免许可,随后在 2023 年又被赋予了“无限期豁免”。但若此次豁免撤销成为现实,每次运输都将需要申请许可,并可能面临长达三至六个月的审查期,这些公司在中国大陆的运营将会受到显著影响,其中中国大陆产能占比较高的SK 海力士可能受到最大冲击,其次是三星,台积电受影响相对较小。海外晶圆厂在中国大陆的制造难度加大,对国产芯片晶圆制造企业及国产半导体产业链有望持续拉动。我们认为,台积电、三星和海力士后续被美国限制采购高端设备和材料后,扩产难度大幅增加,国产存储芯片供应商及晶圆代工厂市场份额预期有进一步提升。目前看,国内先进存储和逻辑晶圆厂扩产需求继续维持,对于下半年及明年扩产预期快速回升,对国产设备需求显著拉动。此外,由于采购海外设备难度进一步加大,对于台积电、三星和海力士,若想进一步扩产,可能会开始寻找国产替代供应商,对国产半导体设备及材料等产业链相关公司持续利好。风险因素:全球宏观经济低迷风险,下游需求不及预期,国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险,国产化推进不及预期,汇率大幅波动,美国制裁加剧,日荷等美国盟友收紧半导体制裁等。投资策略:2025 年我们预计国内晶圆厂扩产需求保持增长,叠加国产替代需求,有望带动国内半导体制造、设备、零部件和材料环节的加速成长
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