存储行业：供需改善下NAND价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求－深度报告250317

存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善，NAND等产品价格拐点趋近。供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化，高端产品需求和价格表现较好，但消费类产品价格持续承压，同时NAND价格表现明显弱于DRAM。但最近几个季度以来，存储行业发生明显积极变化，高端存储器需求持续旺盛，同时消费类、NAND等过剩产能持续去化，整体供需格局持续边际改善，NAND等部分产品价格拐点趋近，模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。1）供给侧：原厂积极减产尤其是针对NAND部分，2025年针对消费类等传统产品资本支出规划相对保守；2）需求侧：高端产品需求旺盛，消费类产品温和复苏，AI渗透率提升带来存储扩容增量需求；3）库存端：需求温和复苏，原厂减产效应显现，供需格局明显改善，海外龙头厂商库存趋近健康水平；4）价格端：2月以来DDR5等高端DRAM产品价格维持高位，利基DDR3等价格依然有所承压，NAND Flash Wafer价格边际改善，部分存储模组厂商预期25Q2部分产品有望迎来价格拐点；5）销售端：产品结构改善带来海外龙头收入持续同比复苏，中国台湾存储模组厂商2月收入表现较好，部分厂商表示部分客户备货意愿增强。

高端存储器景气延续，国产替代进程加速。24Q4北美互联网云厂商资本开支同比高增长，多家厂商2025年资本开支指引乐观；三大存储原厂2025年资本开支将聚焦HBM、eSSD等高端存储器扩产，指引景气延续，美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。国内厂商在高端存储器领域加速追赶，以长存长鑫为代表的厂商分别在多层3D NAND、LPDDR5等领域快速追赶，部分产品性能媲美海外龙头；另外近期韩媒报道，三星将在下一代V10 NAND产品上和长存合作，侧面印证了国产存储IDM技术实力。同时，在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及HBM等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。

AI端侧产品逐步落地，存储模组+利基芯片持续扩容。根据SK海力士指引，2025年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40%；在前期2025年CES大会上，多款AI+AR眼镜产品亮相。近期Deepseek等大模型推出，通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，显著降低算力需求，使复杂模型在边缘设备（如手机、IoT设备）上运行成为可能，将进一步加速搭载AI大模型的端侧产品落地。AI PC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯片扩容趋势明确，例如AI手机平均DRAM容量从8GB增至12-16GB、AI PC平均DRAM容量从12GB增至16-64GB、AI耳机NOR容量从64-128Mb增至256Mb。