基础化工行业：SST电源升级拉动SiC需求，先进封装＆AR眼镜为潜在增量市场

AI 数据中心电源功率密度提升拉动 SiC 功率器件需求，主要催化来自传

统供电架构下 PSU 功率密度升级&SST 终极电源管理方案渗透。AI 数据

中心电源系统升级分为四个阶段：UPS-HVDC-巴拿马电源-SST，服务器电

源电压也经历从 12V 到 48V 再至 800V 演变历程，增强对 SiC 功率器件需

求，SIC 主要应用在电力转换环节

⚫ UPS：“ 低压配电-UPS“ A2D-D2A）-PDU-PSU”，其拓扑结构主要由工

频变压器、整流器、逆变器、桥式整流、功率因数校正 PFC）、谐振

变换器 LLC）等组成；随着机架功率密度接近 1MW，PSU 功率可能

提升至 12KW，PSU 的输入电压也从 230/277 Vac 提高到 347 Vac

单相），甚至 480-600 Vac 三相），增加 SiC 器件需求；

⚫ HVDC：取消逆变环节，经过隔离降压直接向 IT 负载输入直流；

⚫ 巴拿马电源：进一步将 HVDC 前端工频变压器改为移相变压器；

⚫ SST：重塑供电架构，集成整流、隔离、逆变功能，采用高频变压器，

直接将 800V 直流分发到各个计算节点，同时省去 PDU、PSU，SiC 的

特性天然适配 SST 对高频、高压需求，防止过压击穿，提高系统安全

性。

SST 架构下 SiC 器件价值量有望提升，到 2030 年在全球 800V 数据中

心的潜在市场规模约 11.5 亿美元。SST 核心优势在于高频化和集成化，

将原本分散在每个 PSU 中的 AC-DC 转换任务集中到前端 SST 完成，使得

SiC 的价值密度从分散的低价值 PSU 转移集中到高价值 SST 模块，价值量

有望提升。根据 Navitas，预计 2030 年全球 SiC+GaN”功率器件在 800V

AI 数据中心的 SST、800V DC-DC、48V DC-DC 的潜在市场规模约为 25.6

亿美元，其中 SiC 器件占比约 45%，即 11.5 亿美元。

先进封装散热材料&AR 眼镜有望成为 SiC 增长的新晋动力。1）先进封装

散热：随着 AI 芯片功率密度持续提升，散热问题成为难点，SiC 具有优异

的导热性能，可以应用在中介层和载板，根据科创板日报，英伟达在其新

一代 Rubin 中，CoWoS 先进封装的中介层将采用 SiC 材料，以提升散热性

能，并预计 2027 年开始大规模采用；华为也发布 SiC 作为导热填料的相

关专利。2）AR 眼镜：AI+AR 眼镜是由大模型技术驱动的新硬件浪潮，

AR 的硬件核心是光学显示，AR 镜片的光学性能会直接影响用户体验和沉

浸感。