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北方华创(002371):超高深宽比刻蚀助力3D NAND扩产

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#核心观点: 1、SEMI预计全球300mm晶圆厂设备支出将持续增长,2025年将首次超过1,000亿美元,达到1,070亿美元,并预计在2026-2028年间分别达到1,160亿美元、1,200亿美元和1,380亿美元。 2、中国大陆预计在2026至2028年间设备支出总额将达940亿美元,继续领先全球300mm设备支出。 3、从全球分领域看,Logic…

研究对象北方华创
发布机构中邮证券
分析师吴文吉,翟一梦
发布日期2025-12-13
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机构观点归属中邮证券,研报雷达仅作摘要整理与机构观点聚合。以下为研报摘要原文摘录,内容以原始报告为准。

研究对象北方华创
股票代码002371
公司共识评级看好近 180 天 · 28 家机构
一致目标价¥652.7中位数 · 18 家机构

研报摘要

摘要原文以原始报告为准

#核心观点: 1、SEMI预计全球300mm晶圆厂设备支出将持续增长,2025年将首次超过1,000亿美元,达到1,070亿美元,并预计在2026-2028年间分别达到1,160亿美元、1,200亿美元和1,380亿美元。 2、中国大陆预计在2026至2028年间设备支出总额将达940亿美元,继续领先全球300mm设备支出。 3、从全球分领域看,Logic和Micro领域预计在2026至2028年间设备投资总额领先,达1,750亿美元;Memory领域预计支出1,360亿美元位居第二;Analog相关领域预计投资超过410亿美元;功率相关领域预计投资270亿美元。 4、晶体管结构从平面转向3D(如GAAFET、CFET)以及背面供电网络(BSPDN)的发展,推动了对刻蚀、薄膜沉积等半导体设备的需求提升。例如,刻蚀设备在先进制程中的用量占比预计将从FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%。 5、全球内存技术多赛道并行迭代,HBM、CXL、3D NAND等技术发展推动刻蚀、薄膜设备需求大涨。随着3D NAND堆叠层数增加,刻蚀设备用量占比显著提升,ALD与CVD协同工艺成为主流。SEMI预计Memory领域三年设备支出达1,360亿美元,其中DRAM相关投资超790亿美元,3D NAND投资达560亿美元。 6、公司作为国内半导体设备平台型领军厂商,产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节,将持续受益于下游扩产与国产替代进程。根据Yole,中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心。 7、公司于2025年11月22日披露股票期权激励计划草案,拟向2,306名激励对象授予约1,046.6万份股票期权,约占公司股本总额的1.4446%,预计2025-2030年期权成本需摊销的总费用约21亿元。 #盈利预测与评级: 预计公司2025/2026/2027年分别实现收入398/503/613亿元,归母净利润61/84/111亿元,维持“买入”评级。 #风险提示: 人力资源风险,供应链风险,技术更新风险,市场需求波动风险,并购整合风险。

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