电子行业：4F2+CBA是国产DRAM大趋势

#核心观点： 1、DRAM技术面临制程微缩瓶颈，4F2架构方案提供了新的发展路径，通过垂直晶体管构建，有望在0a节点后量产，提升存储密度并解决现有技术难题。 2、4F2架构通过将晶体管与电容器垂直堆叠，相比传统6F2架构可节约约30%单元面积，并具有电子效率更高、漏电干扰更少、EUV光刻成本更低等优势。 3、长鑫存储及国际三大DRAM厂商均在布局4F2方案，预计相关技术产品将在2027至2028年间问世。 4、结合CBA（晶圆键合）工艺，将存储与逻辑电路分开制作再堆叠，是进一步提升存储密度的关键，该技术组合有望在2028年成为主流选择。 #投资建议： 1、逻辑代工：晶合集成、中芯国际、华虹公司。 2、混合键合设备：拓荆科技、百傲化学。 3、其他设备：北方华创、中微公司、微导纳米、精智达、中科飞测、精测电子、华海诚科、华海清科、京仪装备、骄成超声、芯源微、万业企业、盛美上海。 #风险提示： 新技术研发不及预期、产品落地不及预期、研报使用的信息滞后的风险。