电子行业：涨价逻辑+需求端AI驱动，存储行业或迎超级周期－周报（2025.10.13－2025.10.17）251021

核心观点

全球存储芯片价格持续上涨，涨价潮蔓延至中下游。Ÿ Flash Wafer 价格近一周最高涨幅超 10%。根据 CFM 闪存市场报价显示，10 月 17 日 Flash Wafer 价格全面上调，其中 1Tb QLC 涨幅9.09%、1Tb TLC 涨幅 8.06%、512Gb TLC 涨幅 10.53%、256Gb TLC涨幅 6.25%。Ÿ 三星、美光等存储芯片大厂提价，涨价潮蔓延至中下游市场。9 月以来，存储芯片大厂陆续提价。三星电子发布四季度提价通知，计划将部分 DRAM 价格上调 15%-30%，NAND 闪存价格上调 5%-10%；美光恢复报价后，新价格普遍上调约 20%；闪迪 NAND 闪存报价上调 10%。Ÿ 受益于 AI 驱动存储芯片业务复苏，三星电子 Q3 业绩强劲反弹。近日三星电子发布第三季度初步业绩，业绩表现强劲。根据 Counterpoint Research 推测，三星电子三季度业绩表现主要归功于 DRAM 和 NAND闪存需求强劲。第三季度营业利润同比增长 32%，达 12.1 万亿韩元（约 85 亿美元），创三年多以来最高季度利润；第三季度销售额同比增长 8.7%，约 86 万亿韩元，首次单季销售额突破 80 万亿韩元。

核心因素：市场供需错配导致缺货潮。1）供给端，三星、SK 海力士、美光等头部厂商，削减 DDR4等传统产品产能，转向 DDR5、HBM等高阶且利润更高的产品；2）需求端， AI 服务器需要海量内存和存储，驱动存储需求激增。近期 OpenAI“星门”项目与三星和海力士签署每月 90 万平DRAM 晶圆供应协议，占全球 DRAM 产量的约 40%。

AI 服务器需求激增，刚性需求推动存储产业景气向上。威刚董事长表示，看好四季度是存储严重缺货的起点，在 AI快速扩张下，全球大型云端服务商刚性需求将推动 DRAM、NAND Flash 合约价格继续上涨，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。

投资建议维持电子行业“增持”评级。建议关注存储产业链，建议关注兆易创新、江波龙、德明利、香农芯创、佰维存储等存储公司；以及各供应链环节，包括联芸科技、赛腾股份、华海诚科等受益个股。

风险提示技术发展不及预期、终端需求不及预期、市场竞争加剧、国产替代不及预期。