半导体行业：AI浪潮驱动存储涨价新周期，国产替代势如破竹－研究简报

#核心观点： 1、AI驱动的存储超级周期具有结构性特征，区别于以往供给端减产引发的短期反弹。 2、AI技术带动数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率提升，共同推动存储器技术创新与市场扩容。 3、NAND与DRAM价格普涨，四季度存储价格持续上行；Trendforce预估第四季度一般型DRAM价格季增8-13%，若加计HBM涨幅扩大至13-18%；NAND Flash第四季合约价全面上涨，平均涨幅5-10%。 4、国际巨头转向高端产品，国产存储迎来替代窗口；国产存储芯片在企业级市场快速渗透，在消费级市场凭借性价比优势快速抢占份额。 5、国内厂商扩产提速：长江存储推进三期扩产计划，目标2028年总产能达30万片/月；长鑫存储DRAM产量预计达273万片/年，成为全球第四大DRAM厂商。 6、AI存储革命带动“以存代算”技术范式，通过将AI推理数据从DRAM和HBM迁移至SSD，优化推理成本与性能，带动SSD需求增速高于传统曲线。 #投资建议： 1、存储模组与主控：江波龙、德明利、佰维存储、朗科科技、联芸科技、万润科技等 2、存储芯片：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、澜起科技、聚辰股份等 3、存储分销与封测：香农芯创、深科技、太极实业、中电港等 #风险提示： 地缘政治带来的不可预测风险，需求复苏不及预期，技术迭代不及预期，产业政策变化风险