电子行业：AI持续高景气，存力演绎进行时－周观点

NAND Flash 供应商加速转进大容量 Nearline SSD。当前 HDD 市场面

临显著供应缺口，这一现状反过来推动 NAND Flash 厂商加速技术迭代，

积极投入 122TB 乃至 245TB 等超大容量近线（Nearline）SSD 的生产。新

一代热辅助磁记录（HAMR）技术产线初期需投入高昂成本，不仅造成产

能扩张瓶颈，还迫使供应商将成本压力转嫁至客户端，导致 ASP Per GB 从

过往的 0.012-0.013 美元升至 0.015-0.016 美元，HDD 最核心的成本优势

被大幅削弱。NAND Flash 借助 3D 堆栈技术的持续演进，产能提升速度远

超 HDD；且随着堆栈层数从上百层向 200 层以上突破，晶圆存储位元密

度不断提高，预计 2026 年 2Tb QLC 芯片产能将逐步释放，成为拉低

Nearline SSD 成本的核心力量。我们认为 Nearline SSD 对 HDD 的替代效

应将进一步提升 NAND 的需求，AI 驱动下存储需求动能不断。

三星 25Q3 业绩超预期，2027 年将量产 HBM4E。三星 25Q3 业绩超预

期，营收重回存储供应商之首。三星 25Q3 营业利润为 12.1 万亿韩元（约

85 亿美元）超预期，营收攀升约 9%至 86 万亿韩元。根据 Counterpoint

咨询，三星电子 2025 年 Q3 的存储营收达 194 亿美元，重返全球最大的

存储供应商之首。本季度三星的优异表现主要受益于市场对其传统 DRAM

与 NAND 的强劲需求。在下一代产品方面，三星电子在 2025 年 OCP 全球

峰会上宣布 HBM4E 计划于 2027 年实现量产。

存储价格大幅上涨，威刚 10 月开始惜售。DRAM 市场，SSD 成本急剧上

升，现货有限，市场部分暂停报价。其中 DRAM 市场价格创下年度最大单

周涨幅，看涨情绪高涨，炒作势头依然强劲。Flash 颗粒成交价普遍较合

约价溢价 20%以上；USB 颗粒市场货较少，价格走强。威刚 10 月开始惜

售，陈立白表示 DRAM 三大原厂的库存仅能维持 2 至 3 周的正常供应。我

们认为存储市场价格的持续上涨主要系 AI 需求带来的供需紧缺以及 AI 存

储产能挤占下其他领域的供给减少，存储价格有望续涨。